| 型号：RQ3E100MNTB1 | 类别：FET - 单 | 制造商：Rohm Semiconductor |
| 封装： | 描述：MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Rohm Semiconductor |
| FET型 | |
| FET特点 | |
| 漏极至源极电压（Vdss） | |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | |
| 功率_最大 | |
| 安装类型 | |
| 封装/外壳 | |
| 供应商设备封装 | |
| 包装 |
供应商
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
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